นักวิจัยจาก University of California ที่กำลังพัฒนาแรมยุคใหม่นยั้นได้ออกมากล่าวว่าในตอนนี้ ทางผู้วิจัยได้ศึกษาวิจัยและสร้างแรมที่สามารถทำงานเข้ากับอุปกรณ์อื่นได้ดีกว่าแรมที่ใช้อยู่ในปัจจุบันที่เป็น Magnetoelectric Ram แล้ว โดยชื่อที่พวกเขาเรียกมันคือ MeRAM หรือ Magnetoresistive RAM นั่นเอง โดยเทคโนโลยีที่นำมาประกอบใส่นั้น เป็นเทคโนโลยี Spin Transfer Torque (STT) ที่พึ่งพาการหมุนของอิเล็คตรอนเพื่อบรรจุข้อมูลเอาไว้ ซึ่งทำให้ค่าความหนาแน่นของข้อมูลในตัวแรมประเภทนี้ค่อนข้างต่ำ ทำให้บางครั้งเกิดการบรรจุข้อมูลไร้สาระลงตัวชิพไปบ้างหรือเกิดการ Error ตอนกำลังเขียนข้อมูลอยู่บ้าง เพราะอิเล็คตรอนไม่สามารถอยู่ใกล้ชิดกันได้ ซึ่งทางผู้วิจัยแก้ปัญหานี้ด้วยการใช้ตรรกะการเขียนอ่านข้อมูลที่แตกต่างจากเดิม ทำให้ความเสถียรเพิ่มขึ้น แต่ทว่าข้อดีของแรมชนิดนี้ คือประหยัดพลังงานกว่าปกติตั้งแต่ 10 – 1,000 เท่า ทีเดียว
ในส่วนของข้อเสียของแรมทั่วไปที่มีวางจำหน่ายอยู่ในตลาดนั้นย่อมหนีไม่พ้นการคงรักษาข้อมูลเอาไว้ไม่ได้ด้วย เพราะเมื่อไหร่ที่ปิดเครื่อง ก็จะทำให้ข้อมูลทั้งหมดที่เก็บเอาไว้หรือกำลังเขียนพักข้อมูลไว้ที่แรมนั้นหายไปด้วยเช่นกัน แต่ MeRAM ออกแบบมาเป็นแบบ “Non-Volatile RAM” ซึ่งเป็นแรมที่สามารถจุข้อมูลพักเก็บเอาไว้ได้ด้วย เมื่อเวลาที่เกิดปิดเครื่องไปโดยจงใจหรือไม่จงใจก็ตาม ข้อมูลที่เขียนพักเอาไว้ที่แรมก็จะไม่หายไปและสามารถบูตกลับมาใช้งานได้เหมือนเดิมโดยไม่มีปัญหาข้อมูลหายด้วย ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพในการสำรองข้อมูลให้ดีขึ้นอีกมากทีเดียว
ที่มา Notebookspec
